BÀI VIẾT- TIN TỨC VỀ MẠCH ĐIỆN TỬ

BJT và FET là hai loại transistor khác nhau và còn được gọi là thiết bị bán dẫn tích cực. Từ viết tắt của BJT là Bipolar Junction Transistor hay transistor lưỡng cực và FET là viết tắt của Field Effect Transistor hay transistor trường. Transistor trường và transistor lưỡng cực có nhiều gói khác nhau dựa trên xếp hạng tần số hoạt động, dòng điện, điện áp và công suất. BJT và FET có thể được sử dụng làm công tắc và bộ khuếch đại trong các mạch điện và điện tử. Sự khác biệt chính giữa BJT và FET là trong transistor trường chỉ có dòng hạt mang điện đa số, trong khi BJT có cả dòng hạt mang điện đa số và thiểu số.

Các chế độ làm việc của BJT Transistor lưỡng cực có thể làm việc ở ba chế độ: Chế độ cắt (cut-off) Chế độ bão hòa (saturation) Chế độ kích hoạt (active) Để làm việc với transistor lưỡng cực ở một trong những chế độ này, chúng ta phải cung cấp điện áp một chiều cho transistor npn hoặc pnp. Dựa trên cực của điện áp một chiều được đặt vào, transistor sẽ hoạt động ở một chế độ trong số các chế độ này.

DIAC là một công tắc bán dẫn hai chiều có thể được bật theo cả chiều thuận và chiều nghịch. Thiết bị này là một thành viên của họ thyristor và chủ yếu được sử dụng để kích hoạt TRIAC và các mạch dựa trên thyristor khác. DIAC bắt đầu dẫn dòng điện nếu điện áp đặt vào vượt quá điện áp ngắt của nó.

Transistor lưỡng cực là transistor công suất duy nhất được sử dụng cho đến khi MOSFET ra đời vào đầu những năm 1970. BJT đã trải qua những cải tiến quan trọng về hiệu suất điện kể từ khi ra đời vào cuối năm 1947 và vẫn được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử. Transistor lưỡng cực có đặc điểm tắt tương đối chậm và nó thể hiện hệ số nhiệt độ âm có thể dẫn đến đánh thủng thứ cấp. Tuy nhiên, MOSFET là thiết bị được điều khiển điện áp chứ không phải điều khiển dòng điện. Nó có hệ số nhiệt độ dương đối với điện trở ngăn chặn sự thoát nhiệt và kết quả là không xảy ra đánh thủng thứ cấp. Sau đó, IGBT xuất hiện vào cuối những năm 1980. IGBT về cơ bản là sự kết hợp giữa transistor lưỡng cực và MOSFET và cũng được điều khiển bằng điện áp giống như MOSFET. Trong bài viết này Điện Tử Tương Lai sẽ nêu lên một số điểm để so sánh sự khác nhau giữa IGBT và MOSFET.

Một trong những điểm khác biệt chính giữa transistor NPN và PNP là trong transistor NPN, dòng điện đi từ cực góp đến cực phát khi nguồn dương cấp cho cực gốc, trong khi trong transistor PNP, hạt mang điện tích chảy từ cực phát sang cực góp khi nguồn âm cấp cho cực gốc. Các transistor NPN và PNP được phân biệt dưới đây trong bảng so sánh bằng cách xem xét các yếu tố khác nhau.

Hôm nay chúng ta sẽ cùng thực hành mạch nguồn xung hạ áp dùng LM2576 nhé. Mạch này rất đơn giản, tổng linh kiện và board chỉ khoảng 15k lại vô cùng hữu dụng, bạn có thể dùng nó để test linh kiện hoặc test mạch xuyên suốt những dự án của bạn. Now, Let start!